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钙钛矿发光二极管近年来取得了极大进展,然而其稳定性和发光机理问题一直困扰着研究者。本文基于MA0.6CsQ.4PbBr3材料,加入过量MABr,制备了高效、稳定的钙钛矿发光二极管。在此基础上,通过瞬态电致发光测试,研究了这种钙钛矿发光二极管中离子迁移过程,以及对发光效率的影响。主要研究工作包括以下三个方面:首先,在MA0.6Cs0.4PbBr3中掺入过量的MABr制备了钙钛矿发光材料,对材料结构、形貌、组分和发光特性进行了详细地研究。研究显示在钙钛矿材料CsPbBr3中增加过量MABr能显著提高发光效率。结构和形貌研究显示在增加MABr时,会出现二次结晶过程以及存在相分离现象。XRD结果显示在X=2.4/3.0时,出现了没有报道过的新的结构相。相分离通过慢结晶显微镜测试、薄膜共聚焦荧光测试以及EDS元素分布测试得到进一步验证,相分离形成一种镶嵌结构。这种镶嵌结构对提高发光效率具有明显作用。其次,在钙钛矿材料中增加MABr含量,制备的钙钛矿发光二极管,器件具有更高的发光效率和稳定性。发光二极管器件结构为ITO/PEDOT:PSS/Perovskite/TPBi/LiF/Al,最大亮度达到13634.83 cd m-2和最大电流效率2.2 cd A-1。在10 mA/cm2,50%PCE 时间为 35 分钟。最后,通过瞬态电致发光测试,研究了脉冲驱动下亮度和电流密度的变化,探究了离子迁移过程,及其对于器件发光效率的影响。在制备的稳定钙钛矿发光二极管基础上,进行了瞬态电致发光测试。我们首次通过改变电脉冲的脉宽、幅值、基准电压,研究了钙钛矿发光二极管的电流和亮度的变化。分析瞬态电致发光测试结果,我们发现离子迁移(MA+,Br-)导致钙钛矿层的界面附近发生能带弯曲,使得载流子注入的减弱,同时抑制了激子的离化,提高了激子复合几率。