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铁磁层／反铁磁体系的交换偏置效应，由于其在巨磁电阻效应的磁电子器件中的广泛应用，成为目前研究的热点之一。本文中我们系统研究了NiFe／PtMn体系的交换偏置效应。 用直流磁控溅射法制备了不同Mn厚度的Ta／Ni81Fe19／[Pt（6（?））／Mn（x（?））]n／Ta薄膜。研究了Mn的成分对体系交换偏置的影响。结果表明：体系的交换偏置场随着Mn含量的增加先增大后减小；当Mn含量为56.1％时，体系的交换偏置场最大。XRD结果显示，适当多的Mn可以有效地促进PtMn反铁磁相L10有序相的形成，从而减少退火时间，降低PtMn层厚度。 制备了Ta／Ni81Fe19／[Pt（t（?））／Mn（t（?））]n／Ta薄膜，研究了反铁磁层中Pt和Mn单层膜厚度x对体系交换偏置和PtMn有序相形成的影响。结果显示：对于单层膜厚度t=2（?）的样品，经过270℃退火2h，就可以获得比较大的交换偏置场，而对于t=12（?）的样品，需要在300℃退火2h才能得到比较好的钉扎现象。XRD结果表明：单层膜厚度越薄的体系，越有利于PtMn反铁磁相L10有序相的形成。 同时我们还研究了铁磁层／反铁磁界面插入Pt对Mn扩散的影响，界面Pt层的引入可以有效阻挡Mn向铁磁层的扩散，改善了体系铁磁层的磁性能。 最后我们研究了不同缓冲层和保护层对NiFe／PtMn体系的交换偏置效应的影响。结果表明：退火处理以后，以NiFeCr为缓冲层和保护层的样品的磁性层NiFe的磁矩降低要小于以Ta为缓冲层和保护层的样品的磁性层NiFe的磁矩降低。同时，XRD测量计算发现，以NiFeCr为缓冲层生长的NiFe／PtMn样品比以Ta为缓冲层生长的NiFe／PtMn样品具有更好的织构、更大的平均晶粒尺寸，因而具有更好的热稳定性。