La、Y和Te掺杂Mg3Sb1.5Bi0.5的热电性能的研究

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热电(TE)材料能够实现热电之间的直接相互转换,在余热回收和固态制冷等应用中具有巨大的潜力。Mg3Sb2材料具有高性能、制造成本低、无毒性、环保以及优异的低中温热电性能等诸多特点。目前,如何使其在未来拥有明朗的应用前景成为人们首选的热电材料课题,并且越来越受众多学者的关注。本征的Mg3Sb2是一种p型半导体,具有较低的热导率(1-1.5 W m-1K-1),然而其载流子浓度偏低(~1018cm-3),最高z T值仅为0.4。目前,掺杂被认为是一种有效提高材料载流子浓度以及改善其热电性能的常用方法。在Mg3Sb2基材料中,p型掺杂剂目前尚未探索出高效的掺杂剂,有效的n型掺杂剂对于实现优异的TE性能至关重要。一些基于第一性原理的计算和实验研究表明,阳离子掺杂(Sc、Y、La等)比阴离子掺杂硫族(S、Se、Te等)更为有效,它们将为基体材料提供更高的载流子浓度和更大的可调性。基于此,本论文选取合适的阳离子位Mg位(Y、La)结合阴离子位(Te)掺杂进行探索,调节载流子浓度,提升电性能的同时降低热性能,从而优化热电优值。在本论文中,通过机械合金化法(球磨)结合放电等离子烧结(SPS)技术制备n型Mg3Sb1.5Bi0.5化合物,并且讨论了Y元素掺杂对于n型Mg3Sb1.5Bi0.5基热电材料性能的影响。我们发现在阳离子位点掺杂Y可以有效地优化Mg3Sb1.5Bi0.5基样品的TE性能,在Mg3.21Y0.04Sb1.5Bi0.5中达到最小的电阻率2.09 mΩcm的同时,达到最高PF(16.0μW K-2cm-1)。此外,掺杂造成晶界密集度的增加以及阳离子位置换缺陷浓度的提高均降低了总热导率(0.72 W m-1K-1,750 K)和晶格热导率(0.42 W m-1K-1,750 K)。最后,在750 K时,x=0.04样品的z T峰值为1.6,在300~750 K温度中,平均z T值为1.0。与Sc、Te、Mn等元素的掺杂相比,Y的掺杂效率要高得多,性能优化空间更大些。通常情况下采取Y掺杂手段的样品,并不能满足载流子浓度和Seebeck系数的同时提高,基于此我们选取Y作为一种有效的调节最佳载流子浓度的n型掺杂剂,而La掺杂则能调节能带结构,使与Seebeck系数密切相关的有效质量得到提升和优化。在本工作中,我们以Mg3Sb1.5Bi0.5为例,证实了与Y和La共掺杂的稀土元素可以同时提高其功率因数,抑制导热系数。结果表明,共掺杂后得到了18.3μW K-2cm-1的良好功率因数。同时,由于Y和La引入的额外缺陷散射,在750 K时,晶格热导率显著降低到0.39W m-1K-1。最终,在Mg3.2Y0.04La0.01Sb1.5Bi0.5中,300-750 K范围内的峰值优值(z T)为1.76,平均z T为1.1。双阳离子掺杂产生的协同效应为可控的掺杂剂设计和高效n型TE材料的调制提供了一条新的途径。我们又选用了阴离子位掺杂元素Te进一步调节阳离子位掺杂的Mg3.2Y0.05Sb1.5Bi0.5材料的载流子浓度。载流子浓度从5.02×1019cm-3增加到9.76×1019cm-3,接近理论预测的最佳值,同时功率因子也从10.89μW K-2cm-1提高到15μW K-2cm-1。此外,Te元素进入晶格后,材料的晶格热导率也有了明显的下降,由0.92 W m-1K-1降到0.68 W m-1K-1。载流子浓度最高的样品E在750 K时z T峰值可达1.6,在300-750 K范围内的平均z T值可达1.0。本工作证明阳离子和阴离子位共同掺杂对Mg3Sb1.5Bi0.5载流子浓度提高的效果优于单阳离子或单阴离子位掺杂,该掺杂方法有望应用到其它的热电材料性能的优化中。
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