SOI器件和电路具有良好的抗单粒子效应和瞬时辐照效应的性能，被广泛地应用于各种抗辐射领域。但是埋氧层的存在使得SOI技术的辐照效应更加复杂，如何提高其抗辐照性能成为研究重点。本文通过实验研究了0.8μm PD SOI PMOSFET经过60Co γ射线辐照后的总剂量效应，分析了沟道长度对器件辐照效应的影响。实验研究结果表明：在辐照的总剂量相同时，短沟道SOI器件的阈值电压负向漂移量比长沟道SOI器件大，最大跨导退化的更加明显。通过亚阈值分离技术分析得到，氧化物陷阱电荷是引起阈值电压漂移的主要因素。与长沟道SOI器件相比，短沟道SOI器件辐照感生的界面陷阱电荷更多。辐照引起阈值电压的负向漂移和迁移率的降低使短沟道器件的输出电流减小的更多。通过ISE-TCAD软件模拟总剂量效应对传统反相器以及抗辐照反相器单元电路的影响。仿真结果表明，经过加固设计的反相器在经受1000krad(Si)的辐照后，输出还能保持“高”电平。此外，利用ISE-TCAD和HSPICE软件模拟单粒子翻转效应对反相器、SRAM存储单元和采用隔离阱技术的SOI反相器电路、SRAM存储单元电路的影响。结果表明：经过加固设计的反相器和SRAM存储单元具有优良的抗单粒子翻转效应的性能。