【摘 要】
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该文的主要工作在现有蒙特卡罗模拟平台的基础上,加入了二维肖特基接触模型,在二维全能带MC中实现了包括金属半导体接触中直接隧穿和肖特基效应在内的金属半导体接触模型;利
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该文的主要工作在现有蒙特卡罗模拟平台的基础上,加入了二维肖特基接触模型,在二维全能带MC中实现了包括金属半导体接触中直接隧穿和肖特基效应在内的金属半导体接触模型;利用该模拟平台,模拟了肖特基二极管,验证了我们的工作.在此基础上,模拟了肖特基隧道晶体管100纳米的SBTT,分析了SBTT的特性.同时还模拟了SOI SBTT和双栅结构的SBTT等不同类型的肖特基接触器件,对比了多种不同结构肖特基隧道晶体管的特点,为进一步的工作打下了良好基础.
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