纳米结构材料以其优异的电、磁、光学性能受到人们的广泛关注,是当代科学技术发展前沿中比较热门的研究对象,其中的一维无机纳米材料因可作为纳功能器件的基本组件而受到高度重视。纳米管和纳米线是一维无机纳米材料的典型代表,因其结构简单、性质丰富而成为新一代电子器件的基本元件。制备具有特定的光电性能纳米材料,组装性能优良的微-纳电子器件是纳米材料制备的发展方向。与此同时,如何从理论上对一维纳米材料进行研究,以便更好的揭示材料的性质、指导实验是一个很有意义的课题。本论文采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理方法研究了两种典型的一维无机纳米材料ZnSe纳米管和ZnO纳米线的电子结构和光学性质,并对所得到的结果进行了分析和讨论。本论文主要包括以下五个部分第一章,简单介绍了一维无机纳米材料发展的近况,同时阐述了典型的一维无机纳米材料纳米线、纳米管的理论和实验上的进展。第二章,介绍了密度泛函理论的基本原理。并且基于该理论基础,介绍了本文计算中所采用的软件VASP和CASTEP的基本功能。第三章,研究了ZnSe单壁纳米管的电子结构和光学性质。讨论了ZnSe单壁纳米管的稳定性,分析了各种不同管型纳米管的能带结构,同时进一步计算了其介电函数谱,对于不同的光极化方向的介电函数谱给出了一定的分析和解释。第四章,研究了ZnO纳米线p型掺杂的相关问题。通过能带结构和电荷密度差分图的方法研究了(a)N掺杂下ZnO纳米线的性质,(b)O缺陷在ZnO纳米线中的作用,(c)N掺杂对于含有O缺陷的ZnO纳米线的影响,(d)NO吸附在ZnO纳米线表面,四种不同情形下ZnO纳米线的导电性质。第五章,对本论文的研究工作给出了简要的总结,同时,基于目前的研究结果,对于一些研究进行了一定的展望,并对现有的计算方法和结果的缺点和不足进行了一定的讨论