本论文旨在研究稳定的三价金络合物的合成方法，以及三价金还原消除反应的机理。本论文共分为四部分:其一，我们实现了一类芳基和烯基硼酸在铜催化条件下的亲电三氟甲硫基化反应;其二，为探究高价金属芳基C(sp2)-S键还原消除反应的机理，我们设计和合成一系列三价金络合物，并对芳基C(sp2)-S键在三价金络合物的还原消除反应进行了研究。其三，芳基C(sp2)-C(sp2)键在三价金络合物上的还原消除反应。其四，芳基C(sp2)-X键在三价金络合物上的还原消除反应，包括C(sp2)-Cl键、C(sp2)-Br键和C(sp2)-I键。　　我们首先实现了一类铜催化芳基和烯基硼酸的亲电三氟甲硫基化反应，并对该反应的机理进行了推测。该反应可能经历芳基C(sp2)-S键在Cu(Ⅲ)中间体的还原消除过程，这引起了我们对高价金属上芳基C(sp2)-S还原消除过程的研究兴趣。随后，我们合成和表征了一系列含有SCF3和八氟联苯结构的三价金络合物，并实现了其在加热条件下的C(sp2)-S还原消除反应。　　在第三部分中，我们将三价金还原消除反应的研究范围扩展到了三价金的芳基C(sp2)-C(sp2)键还原消除反应。利用现场生成芳基银物种的策略，我们成功合成一系列二芳基三价金络合物，并实现了加热条件下高效的芳基C(sp2)-C(sp2)键还原消除反应。此外，我们还对影响还原消除速率的一系列因素进行了研究。反应机理的实验研究和DFT计算结果均支持协同的还原消除机理。　　最后，我们还实现了芳基C(sp2)-X键在三价金络合物上高效的的还原消除反应。我们的研究显示，还原消除的难度为C(sp2)-Cl键＞C(sp2)-Br键＞C(sp2)-I键。与前人的结论不同，我们对于反应机理的研究支持协同的芳基C(sp2)-X键还原消除机理。