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以YBa2CU3O7-X( YBCO)为代表的第二代高温超导带材由于其优良的本征电磁特性，尤其是在高场下的优越的载流能力，在电力工业中拥有广阔的应用前景。由于YBCO是硬、脆的氧化物，要制备长的超导带材，必须沉积在柔软的金属基带上。同时在高温下YBCO中的Cu会和Ni进行离子交换，影响超导性能。另外，Ni基带本身的晶格和YBCO的失配较严重，难以直接在NiW基带上外延生长织构的YBCO薄膜。因此为了避免金属基带与超导层之间的互扩散，并提供具有高Jc的双轴织构的YBCO生长所需的模板(template)，就需要在超导层与金属基带之间加入缓冲层(buffer layer)。
CeO2由于跟YBCO的晶格匹配性好以及热稳定性好，使其被公认的最好的缓冲层材料，已经引起了广泛的关注。但由于其临界厚度的不足，使其难以单独充当单一缓冲层。本文基于涂层导体实用化的要求，主要研究RE掺杂CeO2单一缓冲层的化学溶液沉积制备。为了研究此缓冲层的外延工艺，选用双轴织构的Ni-5at％W基带，利用化学溶液沉积的方法对薄膜的生长工艺、织构、性能进行了较为深入的研究和探讨。同时也探索了RE2Zr2O7缓冲层在NiW基带上的生长工艺。主要内容如下：
1、涂层导体概述和缓冲层的常用制备方法介绍，以及缓冲层材料常用的表征手段；
2、深入研究了CeO2缓冲层的性质及其生长的工艺条件；
3、采用无水的高分子辅助化学溶液沉积技术(PACSD)制得了RE-CeO2单一缓冲层(RE=Sm、Gd、Y、Eu)。
(1)研究了它的性质及其生长的工艺条件，得到了织构良好、表面致密平整、且厚度可达180nm以上的RE-CeO2缓冲层；
(2)在其上外延生长的YBCO超导层具有超导转变温度高，临界电流密度高等优点；
4、La2Zr2O7. Gd2Zr2O7的在NiW基底上的制备及其性能的研究；