近几年来,一种新颖的半导体材料——有机卤化物钙钛矿,已然引起了人们的广泛关注。由有机金属卤化物类材料制备的钙钛矿太阳能电池现在正飞速的发展壮大,目前该类电池能量转化效率已经达到了 22.1%。除了太阳能能电池,有机卤化物钙钛矿这类材料优良的光电特性在发光器件方面也得到广泛应用。研究人员报道通过调节卤素构成,特别是氯元素的引入,有机-无机杂化钙钛矿的光致发光(PL)特性将会随之出现巨大改变。然而,我们的研究证实,相比氯元素的影响,CH3NH3PbBr3材料的PL强度更依赖于前驱体溶液中有机组份CH3NH3Br的含量。本文详细研究了 CH3NH3PbBr3-xClx钙钛矿薄膜材料中CH3NH3Br部分和C1元素对材料PL强度特性的影响。我们发现由高浓度CH3NH3Br前驱体溶液制备的CH3NH3PbBr3薄膜材料出现更高的PL发射强度。而改变Cl离子比例对CH3NH3PbBr3-xClx钙钛矿薄膜材料发光强度的调节仅在高浓度CH3NH3Br环境下效果明显。本课题使用逆温度结晶法(ITC)成功制备了一系列具有不同有机无机摩尔比例的钙钛矿单晶材料。我们通过改变有机组份的含量,对这些单晶钙钛矿材料的形貌和PL性能进行了调节。研究显示,MAPbX3晶体的发光强度随有机部分含量的增加而逐步提升,而与晶粒尺寸无关。文章中对影响单晶钙钛矿材料的光学特性的因素做了分析讨论。