【摘 要】
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文章较为深入地对808nm波长2瓦输出的大功率半导体激光器的研制过程进行了论述.其中对器件参数设计、结构设计,以及欧姆接触,腔面镀膜工艺进行了重要讨论.在对激光器的重要参
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文章较为深入地对808nm波长2瓦输出的大功率半导体激光器的研制过程进行了论述.其中对器件参数设计、结构设计,以及欧姆接触,腔面镀膜工艺进行了重要讨论.在对激光器的重要参数如峰值工作波长、阈值电流密度、外微分量子效率、输出功率分析和计算的基础上,优化了器件结构参数和工艺参数.确定了阱宽,波导层,限制层厚度分别为15nm,80nm,1.0μm,Al组分分别为0.07,0.35,0.6的分别限制单量子阱结构.获得了在条宽100μm,腔长1000μ条件下,欧姆接触电阻为0.4Ω;在端面反射率为R<,f>=15﹪,R<,r>=85﹪情况下,输出功率为2W的器件.
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