聚四氟乙烯（PTFE）基复合基板具有优良的高频低损耗特性、稳定的介电常数、超低的吸水率、耐腐蚀等特点,是5G通讯领域中的关键材料之一,在功率放大器、基站天线等应用广泛。其中陶瓷填充PTFE制备的复合基板具有介电性能可调等特点逐步成为了当前研究的重点,国内厂家也都做出了较多相应的产品,但是目前较多都存在导热率较低的问题（λ≤0.5 W/（m·K））。随着PTFE基板上的器件日趋庞杂,并向多层堆叠、高集成度方向发展,散热问题也日趋严峻。虽然有厂家做出了导热率较高的产品但是介电损耗偏高,从而降低了实用性。因此本文分别选取Si₃N₄和Al₂O₃陶瓷粉体研究制备导热性能良好以及其他性能参数优良的高频复合基板;同时通过对SiO₂/PTFE体系上进行Si₃N₄或Al₂O₃的填充,研究其填充含量对SiO₂/PTFE复合基板导热和其他性能的影响。以下是本文研究的详细内容:1.F8261硅烷偶联剂对Si₃N₄粉体与Al₂O₃粉体表面改性研究:通过不同含量的偶联剂进行改性,发现1.2 wt%含量的F8261改性Si₃N₄粉体效果最好,表面接触角最大为156.4°,通过FTIR也证实了该含量偶联剂为改性Si₃N₄的最佳含量。浸水实验也显示了Si₃N₄粉体具有更佳的耐水性。通过XPS分析也证实了F8261偶联剂在Si₃N₄粉体表面接枝成功。使用同样的方法对Al₂O₃粉体测量表面接触角得出Al₂O₃粉体改性的F8261最佳含量为1.4 wt%。2.Si₃N₄/PTFE与Al₂O₃/PTFE复合基板研究:改性后Si₃N₄粉体制备的复合基板中陶瓷分散更加均匀,PTFE包覆效果较好,并且介电损耗较低。Si₃N₄粉体与Al₂O₃粉体的填充含量直接影响复合基板的介电与导热性能。70 wt%的Si₃N₄制备的复合基板导热系数达到1.3 W/（m·K）,介电常数为4.03,介电损耗为0.0014。60wt%的Al₂O₃制备的复合基板导热系数则是0.682 W/（m·K）,介电常数为3.96,介电损耗为0.0021。将导热实验值与多种热传导理论模型进行拟合对比发现,W.D Kingery理论模型与实际Si₃N₄基板导热数据更接近。3.Si₃N₄/SiO₂/PTFE与Al₂O₃/SiO₂/PTFE复合基板研究:在SiO₂/PTFE基础上填充Si₃N₄或Al₂O₃制备的复合基板在导热性能上均比SiO₂/PTFE（λ≤0.45 W/（m·K））获得了提升。Si₃N₄/SiO₂/PTFE基板中的导热系数最大为0.614 W/（m·K）,介电常数为3.855,介电损耗为0.0017。Al₂O₃/SiO₂/PTFE基板的导热系数最大为0.558W/（m·K）,介电常数为4.125,介电损耗为0.0020。