新型R--In--M(R=Nd,Gd；M--Co,Mn)1：3型化合物的结构及其磁电输运性能的研究

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【摘要】

：

磁性半导体作为一种新型的磁电子功能材料在当今电子通信领域具有广泛的应用前景。在大量文献调研的基础之上,我们设计一种新型稀磁性半导体材料：以半导体元素In为基础,含有稀土元素,添加3d过渡族元素Mn和Co,配制1：3型合金化合物。通过Mn、Co原子与稀土原子之间的3d-4f电子间的相互作用,形成特定的磁矩取向,使化合物具有较好的磁有序和磁各向异性,进而调制电磁输运。本文利用非自耗电弧熔炼法制备了RI

【作者】

：

刘汉源

【机构】

：

华北电力大学

【发表日期】

：

2014年03期

【关键词】

：

RIn3-xMnx RCo3-xInx 成相规律 RIETVELD结构精修电磁输运性能

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