【摘 要】
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针对ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱（MQW）结构,考虑内建电场的作用,重点讨论MQW结构阱间耦合、尺寸和三元混晶效应对电子子带间跃迁光吸收的影响.利用有限差分法自洽求解导带中电子的薛
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针对ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱（MQW）结构,考虑内建电场的作用,重点讨论MQW结构阱间耦合、尺寸和三元混晶效应对电子子带间跃迁光吸收的影响.利用有限差分法自洽求解导带中电子的薛定谔方程和泊松方程,获得MQW体系中电子在基态、第一激发态、第二激发态能级和相应的波函数.进一步,采用费米黄金法则分别求出较大组分范围0.11-xMgxO MQW结构中电子子带间跃迁光吸收的研究现状及存在的不足,并引出本文的研究内容,即MQW结构对电子子带间跃迁光吸收的调制作用.进而,详细讨论计入内建电场时,MQW体系量子阱数目、阱宽和组分对电子子带间跃迁光吸收的影响.我们的计算结果表明:在内建电场的作用下,量子阱数目、尺寸和混晶组分可有效调节MQW结构的光吸收系数,提高光电器件的光吸收效率.光吸收系数的峰值随着量子阱数目的增加先发生红移然后蓝移,随着阱宽和组分的增加而发生蓝移.最后,给出MQW结构混相拟合结果,并与实验结果对比.本文所得结果对红外光电器件的制备和相关实验可提供参考.
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