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该文的目的是采用脉冲激光沉积法(PLD)制备SBT铁电薄膜,在薄膜的制备过程中通过各种方法控制薄膜的微结构,从而进一步研究SBT铁电薄膜的微结构与其性能之间的关系,以期获得具有优良综合性能的SBT薄膜,同时,采用PLD技术制备了铁电/半导体异质结构,通过对铁电/半导体异质结构电学性能和界面状况的研究,为铁电薄膜的实际应用提供必要的工作基础.