针对电子设备高频化、小型化、高集成度及高可靠性的需求,铁氧体薄膜电感具有优越的应用价值和发展潜力。本论文围绕So C用软磁铁氧体薄膜电感的需求出发,开展了高性能铁氧体薄膜制备和薄膜电感半导体工艺制作两部分研究工作,深入研究了磁化动力与阻力间竞争关系、磁化机制与磁畴形态间关系,解决了各向异性调控、铁氧体薄膜的低温晶化及与半导体工艺兼容等关键问题。其中,高性能铁氧体薄膜研究工作又基于磁控溅射和旋转喷涂两种沉积技术展开。首先,基于磁控溅射,进行了靶材主配方、靶材烧结保温时间和磁控溅射磁场诱导的研究。结果表明:（1）增加靶材中的Cu O含量,NiZn铁氧体的磁晶各向异性将不断下降。考虑到烧结致密化和离子占位,Cu O含量为4.0 mol%时,可以得到较高的M_s。由Cu O在NiZn铁氧体中的助熔作用引起的晶粒尺寸的增加也将对提高磁导率做出巨大贡献。（2）通过洛伦兹电镜表征和磁谱拟合分离计算得出,随着靶材烧结保温时间的增加,畴壁位移逐渐成为动态磁化的主要磁化机制。当工作温度从22°C升高到100°C,畴壁位移和磁畴转动两种磁化机制贡献的比值首先增加,随后保持不变。对于平均晶粒尺寸为10.8μm的样品,在80°C时,各向异性的变化对畴壁位移机制的影响更大。（3）在溅射沉积铁氧体薄膜的过程中施加平行诱导磁场时,铁离子倾向于占据八面体位置,从而导致晶格常数减小、（400）择优取向增强、以及饱和磁化强度和磁导率的增大。通过计算离子占位和有效磁晶各向异性常数,用随机各向异性理论解释了的增加和矫顽力的降低。随着诱导磁场引入各向异性,铁磁交换长度逐渐减小,实现了增加NiZn铁氧体各向异性的同时降低其矫顽力。然后,基于旋转喷涂沉积,开展了主配方、氧化剂浓度、衬底类型、磁场诱导四部分研究工作,成功在120°C左右制备了NiZn铁氧体薄膜,解决了软磁薄膜与半导体工艺兼容的低温晶化问题。结果表明:（1）主配方中铁含量增加时,NiZn铁氧体的显微形貌和磁性能发生了明显变化。旋转喷涂NiZn铁氧体薄膜中出现的（222）择优取向是因为薄膜的生长主要为B位铁离子和氧离子在（222）晶面上的密堆积,并且均匀的三角形晶粒形态也证实了（222）择优取向的存在。一阶反转曲线测量显示,存在（222）择优取向时,晶粒尺寸更不均匀,尺寸分布变得更宽。在铁含量增加的过程中主要磁化机制由磁畴转动变成畴壁位移,提高了磁导率。（2）提升氧化剂Na NO₂浓度,薄膜样品的平均晶粒尺寸和饱和磁化强度逐渐增加;当氧化剂浓度过高时,薄膜的（222）择优取向生长被破坏,晶粒出现了团聚和不均匀生长,同时由三角形片状晶粒转变为球形晶粒,平均晶粒尺寸的增加使得薄膜的磁化机制以畴壁位移为主。（3）衬底过高的热导率会使铁氧体的晶化反应不再被限制在衬底表面发生,化学反应将在温度过高的液膜中发生,从而导致更高的沉积速率和更大的晶粒尺寸,但饱和磁化强度和磁导率出现下降。（4）增加面内平行诱导磁场,NiZn铁氧体的（222）择优取向逐渐削弱。显微形貌上,伴随（222）择优取向的消失,样品的晶粒从三角形片状晶粒也逐渐转变为均匀的球形晶粒。平均晶粒尺寸的下降以及致密度的降低导致薄膜矫顽力及饱和磁化强度同时降低。磁场诱导的面内各向异性与薄膜本身的（222）择优取向生长发生了冲突,降低了旋转喷涂NiZn铁氧体薄膜的磁导率。最后,采用环形螺线管薄膜电感的设计,进行了薄膜电感的COMSOL仿真,并完成了薄膜电感的制作和测试。结果表明:（1）仿真显示,匝数越多,磁性薄膜对电感值的提升越大,品质因数在低频段时呈现和空心线圈相反的规律,匝数越多品质因数越高,但随着工作频率的提升,匝数越多品质因数反而越低;磁性薄膜宽度和厚度的增加可提升磁性薄膜总磁通量,增加电感的电感值和品质因数。但随着磁性薄膜宽度的提升,寄生损耗逐渐增大,品质因数随厚度增加提升的幅度越来越低。（2）使用探针台对片上薄膜电感实物进行测量,在集成1μm铁氧体磁性薄膜后,电感值L和品质因数Q在100 MHz下分别从空心电感的5.88 n H和1.18提升到7.21 n H和1.7,提升幅度分别为22.6%和44%。