论文的研究目的是通过对某一典型大功率晶体管的设计与制造,讨论如何提高大功率开关晶体管的耗散功率及减小晶体管的开关时间。并通过产品版图及工艺的改进，达到产品参数指标的要求。论文首先介绍了目前大功率开关晶体管的发展，并深入分析了如何提高产品的耗散功率及减小晶体管的开关时间。接着详细论述了采用不同芯片结构及工艺来提高产品的耗散功率、开关时间及特征频率。在芯片结构设计时增大发射极周长面积比以提高芯片的使用率；提高基区掺杂浓度，缩短基区宽度，降低集电区电阻率和厚度都是增大产品耗散功率或特征频率的有效方法。但是产品耗散功率、特征频率、开关时间及放大系数等都是相互制约相互影响的，在考虑改善某一参数时必须同时考虑对其他参数的影响，并需要实际投料进行试验，才能最终确定产品的工艺参数。论文中我们采用发射极带开孔的梳状结构版图，提高了芯片的使用率，使产品在较小的芯片面积上得到较大的发射极周长，增大了发射结周长面积比，减小了结电容，达到了提高产品耗散功率及减小晶体管开关时间的目的。同时在保证产品功率及击穿电压的情况下，对基极采用淡、浓两次扩散。一方面减小了产品的饱和压降，同时在基区形成一定的浓度梯度，利用该浓度梯度产生的电场对产品少子运动的加速作用来提高产品的特征频率及开关时间。经过合理设计和选取合适的制造工艺，最终达到了产品的电参数要求。同时也对不同的芯片结构及工艺对产品功率及频率的影响进行了比较，为同类产品的设计及优化取到了一定的参考作用。