基于金属氧化物TFT的射频识别(RFID)模拟前端研究

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射频识别(RFID)是一种通过射频信号来完成阅读器和电子标签之间信息交互的技术。物联网的发展离不开RFID,随着万物互联这个概念的提出,RFID的应用前景更加广阔。金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)和非晶硅TFT(a-Si TFT)以及多晶硅TFT(poly-Si TFT)相比,具有生产工艺简单,成本低,场效应迁移率高等优点,被大量应用在面板显示领域的驱动电路和像素电路设计方面。利用MOTFT来设计电子标签可实现电子标签的低成本,柔性和透明,可进一步推动柔性穿戴设备的发展,对相关研究领域具有重要意义。本文首先介绍了电子标签模拟前端的主要电路模块组成,然后结合顶栅工艺下MOTFT的电学特性设计了基于MOTFT的整流电路,解调调制电路,电荷泵电路,并对时钟提取电路,复位电路,限压电路的设计思路进行了探讨。利用MOTFT设计了全N型的整流电路,流片测试结果显示,该电路在输入信号为1 MHz,电压幅值从4 V变化到14 V时,输出直流电压从0.8 V变化到7 V。在输入信号为5 MHz,电压幅值从4 V变化到14 V时,输出直流电压从0.8 V变化到6 V。该结果表明输入信号为5 MHz下的整流电路输出小于1 MHz下的。通过在传统的ASK解调电路中增加辅助电路,仿真结果表明,改进的电路提高了包络信号边沿的下降速度。对设计的ASK解调电路进行流片测试,测试结果显示,在5V工作电压下,当载波频率为1 MHz,幅值为5 V,数据传输速率为2 kbps,解调出来的信号高电平是1.44 V。当载波频率为2 MHz,幅值为5 V,数据传输速率为1 kbps,解调出来的信号高电平是1.51V。两种测试条件下输出波形边沿下降和上升缓慢,这可能是实际制作的电路寄生电容过大,导致时间常数大于设计值。设计了电阻负载调制电路,给出了仿真波形图。对传统的四相位时钟电荷泵电路输出级做了改进,通过额外增加两个晶体管、两个电容,消除了输出级用二极管接法所带来的阈值电压损失。仿真结果表明,输入电压为5 V,时钟频率为100 kHz,改进的四相位时钟电荷泵较传统的输出电压增加约1 V。最后本文还对时钟提取电路,复位电路,限压电路的设计思路进行了详细的讨论。本文的各电路模块的设计与实现为后续设计TFT全集成的电子标签打下了基础。
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