g-C3N4基复合材料的制备与光催化性能研究

来源 :河南师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:selanyihao
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  1.先分别使用两次煅烧法和水热法制备出了g-C3N4和Bi2O2CO3,然后利用水热法制备出了g-C3N4/Bi2O2CO3复合材料。利用电子显微,X-射线衍射,红外光谱,荧光光谱,光电子能谱,光电化学性能测试等表征手段,对光催化材料进行了形貌,结构,元素成分,光学性质分析。并通过降解兰纳素模拟染料废水,降解氧四环素模拟抗生素废水,研究探讨光催化材料的光催化性能。研究了Bi2O2CO3复合量对g-C3N4/Bi2O2CO3复合材料光催化性能的影响。PL实验证明提高活性的原因是电子空穴复合率的降低。降解染料或抗生素的实验表明,复合材料的光催化性能比g-C3N4或Bi2O2CO3的光催化性能好。当复合材料中g-C3N4所占比例为70%时,材料的光催化性能最佳。通过循环实验表明复合材料的稳定性比较好。
  2.首先分别使用煅烧法和水热法制备出g-C3N4,AgInS2,然后利用水热法制备出g-C3N4/AgInS2复合材料。利用电子显微,X-射线衍射,红外光谱,荧光光谱,光电子能谱,光电化学性能测试等表征手段,对光催化材料进行了形貌,结构,元素成分,光学性质的分析。并且通过降解氧四环素等模拟抗生素废水,研究探讨光催化材料的光催化性能。研究了AgInS2复合量对g-C3N4/AgInS2复合材料光催化性能的影响。PL实验证明提高活性的原因是电子空穴复合率的降低。降解抗生素的实验表明,g-C3N4/AgInS2复合材料的光催化性能比g-C3N4或AgInS2的光催化性能好。当复合材料中g-C3N4所占比例为23%时,材料的光催化性能最好。
  3.首先使用煅烧法制备出g-C3N4,然后利用搅拌法制备出g-C3N4/PANI复合材料。利用电子显微,X-射线衍射,红外光谱,荧光光谱,光电化学性能测试等表征手段,对光催化材料进行了形貌,结构,光学性质的分析。并且通过降解氧四环素等模拟抗生素废水,研究探讨光催化材料的光催化性能。PL实验证明提高活性的原因是电子空穴复合率的降低。降解抗生素的实验表明,g-C3N4/PANI复合材料的光催化性能比g-C3N4材料或PANI材料的光催化性能好。
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