【摘 要】
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目前,在半导体闪存多芯片的封装形式中,内部堆叠芯片层数不断增加。为了适应该封装结构的需要,在金线键合这一工艺中,键合线弧要求更低、更长。然而,在生产制造过程中经常遇
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目前,在半导体闪存多芯片的封装形式中,内部堆叠芯片层数不断增加。为了适应该封装结构的需要,在金线键合这一工艺中,键合线弧要求更低、更长。然而,在生产制造过程中经常遇到“塌线”问题,影响产品可靠性甚至造成次品。本文介绍了金丝球焊键合的基本原理和工艺过程,通过对金线键合工艺中线弧形成动作的过程分析,以金线“弹动”现象入手,探究“塌线”问题的产生原因,提出相应解决方案。经过此研究项目,长线键合的工艺能力得到加强,对于新产品及封装形式的研发过程提供有益的帮助与参考。
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