离散平面超光滑磁流变抛光工艺的研究

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在科学和工程技术领域,超精密光学元件的制造技术正在成为关注的热点,其发展把超精密制造技术推进到传统机械制造不可企及的高度,光学元件的面形精度、表面粗糙度、亚表面质量、残余应力等性能指标的要求日益提高。高精密光学元件的制备是一个很艰辛的过程,耗时长,技艺水平高,劳动强度大,生产效率低。磁流变抛光技术是一种智能的加工技术,对光学材料加工可以保证极高的面形精度,极低的亚表面损伤和残余应力,越来越受到光学加工领域的青睐。西安工业大学经过几年的努力,完成了基于面接触式的环带磁流变抛光技术理论研究,并完成磁流变抛光工程样机的设计、组装,调试工作。为了验证环带磁流变抛光工程样机的实用性,西安工业大学光学制造中心进行了大量的工艺实验研究。工程样机的抛光口径Φ300mm,其对小平面的成盘加工有着实际研究意义。本文主要研究了环带磁流变抛光对多片小平面光学元件成盘抛光,讨论了在抛光盘上各种不同位置分布小平面元件表面粗糙度的影响。三种位置分布关系为径向分布、角度分布和元件分布密度。选用的小平面元件为K9玻璃,大小为15×15mmm,抛光盘的大小为Φ200mm。最终零件表面粗糙度达到1nm以下,面形精度优于500nm。并在工艺实验中,发现元件边缘处有明显的亮线划痕缺陷,称为边缘效应,文中对其产生的原因进行假设,通过设计工艺正交实验来验证。针对磁流变抛光去除率小的特点,对精磨表面(初始表面粗糙度Ra为250nm左右)的抛光实验,设计:精磨表面——聚氨脂抛光膜预抛光——环带磁流变抛光的工艺路线,提高抛光效率。在克服边缘效应的影响,借鉴传统的低速环抛光技术的低速的方法,降低磨头和工作盘的转速,同时加工校正板,对磁流变抛光膜进行适当的修整,经过改进的工艺方案之后,面形P—V由原来的10λ降低到了0.6λ,即380nm。
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