本论文采用激光分子束外延技术,在MgO和Si衬底上外延生长了TiN、La0.7Sr0.3MnO3、LaAlO3-δ和 SrTiO3-δ等薄膜材料,制备出La0.7Sr0.3MnO3-δ/TiN/MgO、LaAlO3-δ/Si和SrTiO3-δ/Si等异质结。重点研究了钙钛矿氧化物和Si异质结的光电特性。　　 论文取得了以下主要的研究结果:　　 1、在MgO衬底上成功地外延生长了La0.7Sr0.3MnO3-δ/TiN肖特基结,RHEED和XRD的测量分析结果表明,所制备La0.7Sr0.3MnO3-δ/TiN多层薄膜具有很好的外延取向。Ⅰ-Ⅴ特性的测量表明,La0.7Sr0.3MnO3-δ/TiN肖特基结在室温下具有很好的整流特性。　　 2、研究了LaAlO3-δ/Si异质结的光电特性。观测到上升时间86ps,半高宽178ps的超快光电响应。据我们所知,这是到目前为止,在和钙钛矿氧化物相关p-n结上观测到的最快响应时间。另外,通过四个不同Si衬底厚度LaAlO3-δ/Si异质结的光电特性研究,说明随着Si衬底厚度的减薄,LaAlO3-δ/Si异质结的光电灵敏度不仅提高,而且其光电响应会增快,并对其机理进行了分析。　　 3、研究了SrTiO3-δ/Si异质结的光电特性,在无偏压和无放大的条件下,使用He-Ne激光作为光源,观测到最大的开路光伏响应和光电流灵敏度分别达到1.3×104 V/W和76 mA/W,并证明其界面的光电效应起了决定性的作用。与Si基p-n结相比,SrTiO3-δ//Si异质结在紫外光范围具有高的响应灵敏度,SrTiO3-δ//Si异质结是一种紫外增强型光电探测器。　　 4、由于研究组课题的扩展,我还参与了“斜入射光反射差法(OI-RD)用于生物大分子的相互作用的机理和装置研究”课题的工作,采用自行搭建的OI-RD实验装置,进行了OI-RD无标记检测生物芯片的实验研究,可同时获取OI-RD的实部和虚部两路信号,通过对蛋白质的不同浓度和不同种类蛋白质芯片的检测,初步实验结果表明,用OI-RD无标记检测生物芯片是可行的。