无线通信作为现代通信最重要的方式之一,已深入到人们的生活和工作之中。收发机是无线通信的重要组成部分,高频无线信号需要通过收发机内部混频器进行频率变换,从而更有效的处理信号,所以混频器在无线通信系统中的重要性不言而喻。混频器种类繁多,常常采用二极管或者场效应管等非线性器件作为其核心混频部件。二极管混频器的特点是结构简单,成本低廉,但是其变频损耗高,线性度低。场效应管混频器多采用有源结构,在提供变频增益的同时具有相对于二极管混频器高线性度的优点,但是结构往往比较复杂,噪声大,并且有很大的功耗。无源FET混频器不仅仅变频损耗低、噪声和功耗小,而且线性度很高,总体相对前两种混频器具有一定的优势。本文首先基于低失真混频器原理,选择高电子迁移率晶体管ATF54143作为核心混频模块,然后初步设计单管结构FET混频器,基于对单管混频器的仿真分析,深入研究晶体管内部等效电路,并结合开关函数法设计了一种平衡结构的微波混频器的拓扑电路。然后对混频器射频端口的高通滤波器和中频端口的低通滤波器模块进行设计。接着,本文基于Marchand balun原理设计了一种三层缺陷地结构的本振高频巴伦,在800MHz到3GHz的频段内,输入回波损耗大于12dB,相位不平衡度小于3.4°,幅度不平衡度小于0.3dB。整合各个单元后,利用ADS软件对混频器进行联合仿真。最后,制作出了混频器并进行了指标测试。本文设计的微波低失真FET混频器工作在1GHz-3GHz频率范围,中频为120MHz。其变频损耗最优值为4dB,LO-RF隔离度可达38dB,LO-IF隔离度最佳值为81dB,输入三阶交调点可达23dBm。