窄禁带半导体Sb₂S₃因其合适的光学带隙,较高的吸光系数,廉价的制造成本而引起科研学者的广泛关注。为降低电荷复合率,提高太阳电池的能量转换效率,本文在TiO₂纳米棒阵列为电子传输层的基础上,将窄禁带半导体Sb₂S₃纳米粒子引入到杂化太阳电池（有机无机杂化太阳电池和钙钛矿太阳电池）作为光活性材料,通过优化电池各内部结构,改进杂化太阳电池性能。1)将P3HT与Spiro-OMeTAD共混后的混合物作为光活性层和空穴传输层,将其旋涂在由不同锑源和硫源比例（Sb/S）通过化学浴沉积的带的Sb₂S₃纳米粒子敏化的TiO₂纳米棒（TiO₂/Sb₂S₃）复合膜上,制备成杂化太阳电池。紫外-可见光吸收结果表明沉积上Sb₂S₃后明显增加了光吸收范围,J-V测试结果表明当空穴材料为P3HT与Spiro-OMeTAD的共混物（比例为15 mg/mL）,且Sb/S=1/1时制备的结构为FTO/TiO₂/Sb₂S₃（1/1）/P3HT:Spiro-OMeTAD（15 mg/mL）/Ag的杂化太阳电池可获得4.57%的最佳能量转换效率。电化学阻抗和稳态荧光光谱也证实了该条件下电池的界面复合率低,电子寿命长。2)将Sb₂S₃纳米粒子引入基于TiO₂纳米棒复合膜钙钛矿太阳电池中,紫外-可见光吸收结果表明Sb₂S₃明显提高了电池的吸光能力,但J-V测试和能级位置分析发现Sb₂S₃置于钙钛矿材料前带来的较高的能级势垒对提高钙钛矿太阳电池效率弊大于利。3)通过超声分散法将溶剂热法得到的Sb₂S₃纳米球引入P3HT中以制备Sb₂S₃:P3HT微异质结构,对比不同比例的Sb₂S₃:P3HT微异质结构对TiO₂纳米棒阵列钙钛矿太阳电池性能的影响。紫外-可见光吸收光谱发现Sb₂S₃:P3HT微异质结构可以提高吸光效果。J-V测试结果表明,添加了Sb₂S₃:P3HT微异质结构的太阳电池效率普遍增高,结构为FTO/TiO₂NR/Perovskite/Sb₂S₃:P3HT-15/Spiro-OMeTAD/Ag的钙钛矿太阳电池,其能量转换效率最高为15.56%。电化学阻抗性能测试及稳态荧光光谱同样证明了Sb₂S₃:P3HT微异质结构可以促进光生电荷的分离和传输,使其电荷界面复合率明显降低,电子寿命增长,明显提高钙钛矿太阳电池的能量转换效率。