采用GaAs单晶材料来研制核辐射探测器已有四十多年的历史，它是用化合物半导体材料制备出的在室温下对γ射线有较好能量分辨的第一种化合物探测器。近年来，随着SI—LEC GaAs单晶质量的不断提高，GaAs探测器的性能随之也在不断的提高。本论文主要研究了GaAs表面势垒探测器和Zn／Au合金化构成P⁺N结的PIN结构GaAs核辐射探测器的制备及其对¹²⁵I、²⁴¹Aiil、⁵⁷Co的能谱响应。如何进一步提高SI—LEC GaAs探测器的性能，包括增加样品厚度提高对γ射线的探测效率，增加面积提高探测器的灵敏度，以及提高在室温工作条件下对γ射线的能量分辨等，是我们制备GaAs核辐射探测器工艺过程中的重点。测试结果表明，我们所进行的SI—LEC GaAs核辐射探测器制备技术是成功的。在室温条件下，对²⁴¹Am59.5kcV的γ射线FWHM为6.4keV；对¹²⁵127.5keV的X射线FWHM为4.02keV，与国外发表的同种类型的GaAs探测器的性能指标相一致。目前，它已经具有一定的实用性，对国内室温半导体探测器的研制发展具有一定的推动作用。