【摘 要】
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Co/Si多层膜在一定条件下生成的硅化物具有较低的电阻率和优良的化学、热学性质,在集成电路的自对准接触和互联技术中得到应用,是改进集成电路性能的研究材料.该文报道了用磁
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Co/Si多层膜在一定条件下生成的硅化物具有较低的电阻率和优良的化学、热学性质,在集成电路的自对准接触和互联技术中得到应用,是改进集成电路性能的研究材料.该文报道了用磁控溅射方法制备Co/Si,Ge/Si多层膜的工艺,对小角X射线衍射和Raman测试结果进行了详细分析,通过测试不同温度、压强、溅射功率下生长的Co/Si,Ge/Si多层膜的小角X射线衍射图,得到了要制备出具有周期成分调制结构多层膜所需要的工艺参数范围,成功制备了Co/Si,Ge/Si多层膜,并采用计算机拟事了Co/Si小角X射线衍射谱,从理论上验证了Co/Si多层膜的折射率修正值为负和结构模型的合理性,利用Raman谱研究基底温度、溅射功率、溅射时间对Ge/Si多层膜结构成分的影响,该文对其谱图机制的解释和有关理论还有待于进一步讨论.
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