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该文首先研究了SnO<,2>纳米微晶的制备及工艺因素对晶粒形影的影响,采用共沉淀方法及调整Bi添加量和烧结温度,探索得到最优棒状晶粒纳米粉体.该文研究了SnO<,2>基厚膜器件中无机粘接剂的作用和影响,实验表明,掺杂Bi并在高于Bi<,2>O<,3>熔点的温度下烧结,可以改善敏感膜的粘接强度,适量时还可以提高灵敏度.而加入适量含Si的粘接剂,820℃高温烧结后,SnO<,2>粉体粒径仍很小,器件电阻适中,敏感膜的粘接强度大为提高,说明Si既可以阻止晶粒的高温生长,又具有提高膜层机械强度的粘接作用.该文实验发现完全由SnO<,2>纳米棒晶组成的气敏粉体电阻较大,通过酸洗处理,气敏粉体电阻值明显下降,有很高的气敏特性.考虑在一定范围内调整气敏材料电阻值的需要,该文将SnO<,2>纳米棒晶与SnO<,2>球形晶粒粉体以不同配比混合,发现气敏材料的特性明显改善.实验还发现,器件在低温区对汽油气体灵敏度很高,在高温区对乙醇气体灵敏度高.该文研究了SnO<,2>厚膜器件新的信号检测方法,用器件在某一特定频率处接触待测气体前后电抗值的变化,来标定器件的灵敏度和选择性.运用气敏机理和等效电路模型分析了标定作用机理,认为复阻抗标定能显著提高灵敏度和选择性的原因是,既包含了直流测试中在不同气氛下晶界电阻的变化,又测量了晶界电容的变化,反映还原性气体在SnO<,2>表面及晶界入吸附和被氧化过程的本质.该文进行器件的电老化实验,分别测试灵敏度随加热电压的变化和复阻抗谱随老化时间的变化,考察其长期稳定性,创新性地提出老化是否完成和稳定性是否建立的判据.并通过放电吸收电流的测试,分析器件的老化机理,初步认为减少离子电导成分可以提高器件长期稳定性.最后根据TEM分析结果预测,SnO<,2>纳米棒晶气敏器件的敏感机制是晶界势垒和颈部联合控制.试样在洁净空气中不同加热电压下的复阻抗测试表明,半圆弧的减小与气敏器件表面处氧离子的吸附和解吸有关.气敏器件的老化机理与晶界电阻、电容以及缺陷电阻、电容随时间的变化有关.