适用于WCDMA 0.18μm工艺的上变频混频器

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随着互联网以及移动通信技术的快速发展,人们期望能够获得更高的无线传输速率。WCDMA因为能够提供高的数据传输速率而受到广泛的关注。而无线通信系统里最为重要的模块就是射频集成电路,随着CMOS工艺的发展,射频电路已经由原来的分立器件发展成低成本、低功耗的集成电路。混频器是射频接收和发射部分的重要模块,混频器性能的好坏直接影响整个系统的能否正常工作。发射机结构主要有直接变频式发射机和外差式发射机,发射机的输出效率功率、线性度、频率稳定性、工作频率以及杂散抑制和发射频谱的纯度等参数决定了发射机性能的优劣。本文设计的适用于WCDMA的上变频混频器是直接变频式发射机中的一种,直接变频式发射机主要有基带信号处理、混频器和功率放大器三大主要部分,针对混频器进行了详细的研究。混频器是在乘法器的基础上设计的,达到变频的功能。混频器可以分为有源混频器和无源混频器,它的主要性能参数有转换增益、噪声系数、隔离度和线性度,主要有1dB抑制点和三阶交调来表现。双平衡有源Gilbert结构是混频器设计和改进的基本电路结构,很多性能较好的混频器都是在该结构上衍变出来的。本文的主要设计部分也是基于该结构上,引入了电流注入技术,设置了偏置电路和射频输出端的阻抗匹配,设计出完整的混频器功能电路。基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺下完成最后电路版图的设计,对混频器的参数与性能进行后版图仿真。仿真结果显示,电路的转换增益为0.1dB、噪声系数为12.9dB、1dB压缩点为-12.3dBm、输出功率为-17.79dBm、S11为-13.85dB。其参数与性能满足设计的要求,满足实际使用的要求。
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