二氧化钒（VO₂）薄膜材料在68℃附近会发生由半导体相向金属相的可逆相变，主要体现在相变前后其电学、磁学、光学（太赫兹THz波段）等特性的变化。这便使其在光器件、存储领域、智能窗等方面有着广泛前景，所以如何制备出性能优良的VO₂薄膜一直是学者关注的热点。传统的反应溅射法制备氧化钒（VO_x）薄膜，为了达到更好的相变效果，一般情况下都要经过热处理。由于Ar和O₂压强比不易控制，导致实验稳定性和可重复性较差，常规热处理工艺也使得薄膜制备周期较长。本文首先利用磁控溅射法在Si基底上制备纯金属钒（V）膜，然后结合快速热处理工艺（RTP）热氧化金属V膜来获得VO_x薄膜。这种工艺优点在于不仅将热处理与热氧化合二为一，并且采用快速热处理工艺，将整个实验周期大大缩短，同时又省去了不易控制的调节Ar和O₂压强比，使得整个工艺简洁、快速、可控性好。对所制备的VO_x薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）对其结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析，应用四探针测试方法和太赫兹时域频谱技术（THz-TDS）对样品的电学和光学特性进行测试。结果表明：在一定范围的快速热处理保温温度和保温时间下，都可以制备出具有热致相变特性的VO_x薄膜，相变前后薄膜的方块电阻变化超过两个数量级，薄膜成分主要由V2O5和VO₂混合组成。对于不同厚度的薄膜，溅射金属钒的时间在20min-40min范围内所得到的热致相变性能最佳。对于溅射金属V膜时间在20min的薄膜，500℃25s左右条件下（中温区）制备出的VO_x薄膜热致相变特性最佳，并且对THz波有一定的调制作用。并且VO_x薄膜热致相变与光致相变并不是同时发生的，二者不存在对应关系。