【摘 要】
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该文采用了RBS/Channeling、HRXRD、Raman、SIMS和XPS等多种实验表征技术对SiGe合金初始阶段的氧化、高温氧化及离子注入掺杂过程中SiGe层应变弛豫及相关的问题开展了深入的
【出 处】
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中国科学院上海原子核研究所 中国科学院上海应用物理研究所
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该文采用了RBS/Channeling、HRXRD、Raman、SIMS和XPS等多种实验表征技术对SiGe合金初始阶段的氧化、高温氧化及离子注入掺杂过程中SiGe层应变弛豫及相关的问题开展了深入的研究,取得了以下研究成果：较薄应变Si<,1-x>Ge<,x>合金层（x<0.5）O<,2>/C<,2>H<,2>Cl<,2>氛围下氧化的初始氧化阶段（氧化物厚度<10nm）,SiGe合金中的Si原子被择优氧化形成SiO<,2>,而Ge原子被从氧化物中排斥出来且Ge原子总量不变;在氧化过程中存在着干氧氧化不曾出现氧化速率增加效应,即Si<,1-x>Ge<,x>合金的氧化速率随着Ge组分x的增加而增加.在对较薄应变Si/SiGe/Si异质外延体系950℃高温氧化处理及高温Ar气退火处理的研究中,首次从实验上观察到在氧化氛围处理下异质外延体系SiGe合金层中的应变弛豫得到了减缓.首次研究了高剂量低能B<+>、BF<,2><+>离子注入较薄Si/SiGe/Si样品中的损伤及退火样品中SiGe层的应变.在Si<111>衬底上得到高晶体质量（χ<,min>=3.4﹪）六角相GaN薄膜的基础上,用RBS/Channeling技术首次研究了六角相GaN薄膜内的应变及应变随深度分布的信息.
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