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由于有机半导体硅材料在非线性光学材料、微电子器件、传感器以及生物等领域具有不可替代的应用前景,这使得有机半导体硅表面的物理化学性质及其表面的反应性的研究一直倍受关注。本论文采用密度泛函理论(DFT),针对水饱和硅(100)表面和氢原子钝化的硅表面上分子线体系,开展了一系列的理论计算研究。论文主要包括两个研究内容:一是不饱和有机分子在水饱和的Si(100)表面上的自由基链反应机理的理论研究;二是H-Si(100)-(2×1)表面上形成的[TM(styrene)]∞(TM=Sc, Ti, V,