单晶铜具有良好的塑性及导电性,应用于集成电路及微纳制造领域。为此,本论文以不同取向单晶铜为研究对象,采用球盘往复接触形式,研究有、无腐蚀介质条件下,不同晶体取向铜的微动磨损、微动腐蚀磨损行为;采用电化学腐蚀、浸泡腐蚀的方法,研究了不同晶体取向铜的电化学及浸泡腐蚀性能。通过显微镜、扫描电镜及能谱分析表征,探讨了不同晶体取向铜的磨损和腐蚀机理。研究表明:（1）无腐蚀介质条件下磨损时,平均摩擦系数随载荷增加而增加,随速度的增加而减小。在不同载荷及速度下,Cu（111）的平均摩擦系数低。磨损体积（110）>（100）>（111）,且截面破坏程度（110）>（100）>（111）。Cu（110）耐磨性差,Cu（111）的磨损情况相对较轻,其耐磨性好。在干摩擦时,在载荷速度低时磨损机理主要是氧化磨损和磨粒磨损;随载荷速度的增大,磨损由氧化磨损转向粘着磨损;在载荷速度高时主要是轻微的磨粒磨损和粘着磨损;磨损时产生加工硬化及晶粒细化,滑动摩擦产生摩擦热有助于形成氧化膜,起到减摩作用。Cu（111）面原子密排,弹性模量高,其滑移面临界剪切应力小易于滑移。（2）浸泡及电化学腐蚀实验表明,Cu（110）表面平滑腐蚀面积小,Cu（100）生成的钝化膜易脱落,Cu（111）腐蚀情况严重。遵循（110）、（100）、（111）的顺序,容抗弧直径减小,电荷转移电阻下降,低频区阻抗模量|Z|值减小,腐蚀电流密度约增加0.93倍,腐蚀电位负移,阳极曲线及阴极曲线的Tafel斜率绝对值下降。Cu（110）表面活性高,为密排方向。根据原子电子态密度及成键的量子力学观点,不同取向铜表面能及氧化时易活化顺序为（110）>（100）>（111）,晶向原子排布及密度决定其相应晶面原子结构的腐蚀,因此单晶铜耐蚀性依次为（110）>（100）>（111）。（3）NaCl溶液腐蚀介质下磨损时,不同取向铜摩擦系数小,磨损体积及形貌轻微,表面粗糙。随着载荷及速度的增加,腐蚀磨损情况严重,当增加到一定值后情况反而减轻。平均摩擦系数（100）>（111）>（110）,腐蚀磨损（110）>（111）>（100）。不同载荷及速度下,Cu（100）的磨损体积小,Cu（100）的表面活性相对较弱,不易发生反应。腐蚀磨损时,铜表面进行腐蚀与氧化、粘着和磨粒磨损。在腐蚀的同时,腐蚀介质起到冷却散热作用,形成氧化膜,减轻粘着及磨粒磨损,达到降磨减摩作用。