耗尽层和薄膜的时域介电谱

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回顾了时域介电谱方法及应用简史,总结了近年来时域方法在单晶、晶界陶瓷、聚合物、液体等体材料中取得的成果,指出了传统的频域介导电谱方法及理论的不足之处.提出漏电电阻的修正方法.用微分时域介电谱方法在液氮温度下研究了掺磷硅单晶和铝接触层界面势垒层的性质.研究半导体耗尽的时域介电谱.从金属-半导体-绝缘层-金属(MISM)的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因.对非线性光学材料E44-DO3(具体分子结构见第四章)在交联前后样品性质做了介电测量.通过对铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)固熔体单晶样品的电滞回应的测量,指出了传统的铁电热力学唯象理论的缺陷.
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