核辐射探测器是实验核物理技术重要的探测元件，在科学研究、核安全、核医学、环境监测、空间飞行、采矿工业等领域发挥着不可或缺的作用，其对于核物理的发展亦具有重要的作用。目前，室温半导体核辐射探测器以其能量分辨率好、探测效率高、体积小、重量轻、携带方便等优点而成为各国核辐射探测器研究领域中发展的重点。 CdSe单晶体是有前途的制作室温核辐射探测器的新材料之一。初步研究表明，CdSe单晶体具有较高的电阻率，载流子迁移率-寿命积较大，对高能射线具有较高的阻止本领；CdSe探测器具有较低的漏电流，探测效率高，电荷收集效率也高，且没有极化效应，工作稳定性好。 为了能够制作出合格的探测器，首先要生长出高质量的单晶体。如果单晶体存在较多的晶格缺陷，将导致高能射线辐照后在探测器灵敏区中产生载流子的复合几率和俘获几率发生局部的剧烈变化，从而引起输出脉冲幅度的涨落最终导致探测器分辨率变坏。同时也会使灵敏区中产生的载流子，在到达电极被收集之前就被复合或俘获，使得载流子收集不完全，甚至无法收集而引起能量分辨率变坏，脉冲幅度减小。 实验表明，用气相法生长CdSe单晶是一种简单而有效的方法。但CdSe单晶体由于其熔点比较高，熔化时还具有较高的蒸气压，加之Se、Cd又具有比较高而不相等的蒸气压，因此生长过程中容易偏离化学计