变温霍尔效应相关论文
通过变温霍尔效应实验，在77～420K 温度范围内对 N 型 Ge标准样品的电学特性进行测量．根据对高温本征导电区斜率的计算，得到样品禁带宽......
采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs2多晶合成与单晶生长,生长出?28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs2单晶体.用金刚石外......
利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的In0.82Ga0.18As外延材......
采用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)方法在(0001)蓝宝石上生长了具有缓冲层的氧化锌(ZnO)薄膜.利用变温霍尔效应(TDH),电容电压测......
采用微机控制和数字式数据采集系统，在变温环境下（77～420K）对长为6．0mm、宽为4．0mm、厚为0．6mm的锗样品薄片进行霍尔效直相关数据测量；通过......
文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77～400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高......
对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)材料的电学特性进行了变温实验研究.通过变温(80~300 K)霍尔效应测量,研究了Hg1-xCdxTe材料的霍尔系数RH、电......
采用变温霍尔效应方法测量了浅掺杂n型锗薄膜的半导体电学特性。根据77K~400K温度范围内的变温霍尔效应测量,通过对实验数据曲线的......
