KI-AgI三元化合物和有序介孔氧化硅SBA-15的制备及物性研究

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本文大体可分为两部分:一是研究了KI-AgI体系的两种化合物KAg4I5和K2AgI3的制备及其物性;二是研究了有序介孔二氧化硅SBA-15材料的制备,并对其紫外光致发光特性进行了研究。采用固相反应法制备了KAg4I5和K2AgI3。并用交流阻抗谱仪测量了KAg4I5以及AgI- KAg4I5复合体系的离子电导率,发现高温下AgI-KAg4I5的电导率比单相的AgI或KAg4I5要高,这可能是两相之间产生了大量的界面,形成了较高的缺陷密度,由于这些区域结构比较松弛,可以为Ag+离子提供较多的运动通道;此外我们还对K2AgI3进行了PL分析,并发现了2.25 eV处的光致发光峰,根据分析,认为这一处的发光可能与激子和禁带中的某一个缺陷能级有关。采用水热法制备了有序介孔氧化硅材料SBA-15,对其结构和形貌进行了研究。在制备的有序介孔氧化硅SBA-15中,发现了位于3.8 eV光致发光峰。试验发现,这一发光在空气中放置会显著增强。通过在不同温度和气氛下进行退火试验,并结合EPR分析,我们对这一发光的机制进行了研究,认为这一发光可能是由ODC(II)和吸附水分子形成的硅醇基的发光。
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