氧化锌（ZnO）是一种具有优异的光学性能的宽带隙半导体材料，它在室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具备发射蓝光和近紫外光的优越条件，被认为是最佳的GaN的替代材料。然而，由于本征ZnO具有较高的体载流子浓度，很难制备出优异的p型ZnO薄膜，使得ZnO半导体材料在发光器件方面并没有取得突破性进展。另外，大多数受主杂质固溶度较低，受主能级较深，缺乏合适的受主掺杂元素也是导致难以获得p型ZnO薄膜掺杂的重要因素。　　为了获得了优质、廉价的p型 ZnO薄膜，本论文利用射频磁控溅射方法，在 Si衬底上制备N掺杂ZnO薄膜，因为N被认为是获得p型ZnO较为有效的掺杂元素，N原子半径和O原子半径很接近，比较容易占据O空位而形成NO缺陷，然而N留在薄膜当中，使N元素在ZnO中激活，可有效降低载流子浓度。对于所制备的ZnO薄膜采用X射线衍射仪（XRD）、光致发光（PL）、霍尔（Hall）效应等分别研究了N掺杂ZnO薄膜的结构特性、光学特性和电学特性。结果表明，本征ZnO薄膜的禁带宽度3.3eV，通过氮掺杂，ZnO薄膜的光学带隙在3.28eV~3.34eV范围可调；ZnO薄膜是实现p型转化，同时，载流子浓度由1.96831017cm-3降低到了6.02231015cm-3。