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半导体纳米晶体是一种准零维多原子系统。由于表面效应、量子限域效应、宏观量子隧道效应等特殊的量子效应，近年来，在电子和光通讯方面引起了人们的普遍关注。特别是具有窄带隙的Ⅳ-Ⅵ族材料，如PbSe，更是引起世界的广泛关注。在过去的几年里，波长为1.3-1.55μm的光通信设备受到了普遍地关注。通过熔融法合成半导体量子点掺杂玻璃就可以简单地实现1.3μm的光发射。直径在4.5-9nm之间的PbSe量子点在红外波段具有很强的辐射峰，其辐射峰典型的FWHM为100-200nm，在光纤通信中具有潜在的应用价值。因此，有必要研究生长在玻璃基底中PbSe量子点的形成。本文采用高温熔融-退火法在钠硼铝硅酸（SiO2-B2O3-Na2O-Al2O3-ZnO-AlF3）玻璃中生长了PbSe量子点。通过X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、光致荧光（PL）谱测量等手段，探究了不同玻璃配料、不同PbSe量子点引入物、以及一次热处理和两次热处理对PbSe量子点的尺寸和密度的影响。获得的实验结果如下：1、适当加入ZnO有助于合成量子点，能减少硫族元素的挥发，使玻璃中的量子点尺寸分布均一化。当ZnO含量占玻璃总配料的质量比约为9.4%时，生成的量子点尺寸比较均匀，直径约为6.5nm，且密度较高，PL谱强度最强，辐射峰位于1790nm，FWHM为296nm。2、不同的PbSe引入物（例如：块材料PbO、ZnSe和PbSe）对PbSe量子点的密度有很大的影响。块材料PbSe作为Pb2+和Se2-元素的引入物更容易合成相对密度较高的PbSe量子点。3、适当加入碳粉，可以减少Se元素被氧化成更易挥发的物质。实验结果表明：当玻璃中碳的含量超过玻璃总配料的2%时，反而不容易形成PbSe量子点。当玻璃中C的含量为玻璃总配料的0.5%时，实验证明更容易获得高密度的PbSe量子点。4、与传统的一次热处理方法相比，二次热处理将更容易获得高密度的PbSe量子点。