Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体量子点的制备及其敏化太阳能电池性能的研究

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I-III-VI族半导体纳米晶,是一类由I族(Cu,Ag),III族(Ga,In),VI族(S,Se)等元素组成的材料。大都是直接窄带隙半导体,其中,Cu InS2,Cu InSe2带隙分别为1.5ev和1.04ev,与太阳光谱匹配,是性能优异的太阳电池光吸收层材料。当材料的尺寸与其激子半径相当时会表现出量子限域效应,在量子点敏化太阳能电池(QDSC)领域极具潜力。目前,合成量子点敏化剂的方法主要归纳为预合成法和原位合成法两种。本文主要制备了Cu2S/FTO对电极和I-III-VI量子点敏化剂,并研
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