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目前,SnS是最具有发展前景的光伏材料之一,非常有希望作为未来高效的太阳能转换材料。SnS具有稳定的化学性质,无毒性,其构成元素在自然界储量丰富。因此,制备出高质量的SnS薄膜,将会在太阳能电池的研究方面具有重要意义。本文主要研究不同快速退火温度对脉冲激光沉积法所制备SnS薄膜特性的影响,以及基于SnS薄膜异质结器件特性。利用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃衬底上室温沉积SnS薄膜,并在氩气保护下对所制备薄膜样品进行快速退火处理,退火温度分别为200℃、300℃、400℃、500℃和600℃。利用X射