稀磁半导体输运和光学性质的理论研究

来源 :中国科学院半导体研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chongfengli
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首先,该论文在有效质量理论框架内,研究了平行磁场下DMS超晶格的朗道能级并对DMS超晶格的光学特性做了系统的理论分析.我们注意到,磁场的作用不仅改变了超晶格的势能位形,即由Ⅰ型转变为Ⅱ型,电子和空穴在空间发生分离,系统有直接带隙转变为了间接带隙;而且随着磁场的进一步增强,Ⅱ型超晶格将逐步显示出Ⅰ型超晶格的光跃迁强度.这种现象是强磁场的约束的结果,在以前人们研究较多的垂直磁场情况下不会出现.剪切形变不仅导致轻重空穴态间强烈的耦合,也使得空穴基态在磁砀作用下发生"轻"空穴态到"重"空穴态的转变.其次,利用多带量子透射边界方法我们研究了AlGaMnAs异质结的空穴共振隧穿问题.研究发现由于各空穴分量的势阱深度发生分裂,导致空穴的隧穿电流的共振峰也明显发生分裂.无论对重空穴还是轻空穴来说,量子阱中轻空穴的束缚能级都是有效的隧穿通道,虽然隧穿电流有相当大比例由发射级重空穴态提供,但在集电极端大部分电流又由轻空穴态传导.这样的共振隧穿结构对空穴的各自旋分量实际上起到了过滤和转换的作用.这种理象在势垒增宽的情况下会更加明显.最后,我们在电子一维量子波导理论基础上提出了解析形式的空穴一维量子波导理论,并以此研究了空穴在量子干涉器件中的输运行为.研究发现,由于轻重空穴的相互干涉效应,使得透射率和反射率随几何参量或入射波矢的振荡结构要远比电子的复杂.而且在运动过程中,会发生轻重空穴的相互转化现象.
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