基于ZnO做电子传输层的白光量子点LED研究

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胶体量子点(Colloidal Quantum Dots,简称QDs)具有荧光效率高、半波长窄、可随尺寸调整波长等优点,有望成为下一代LED器件的核心发光材料。目前,国内外对基于电致发光的量子点器件(QD-LEDs)研究刚刚起步,对白光器件的研究比较少。本论文采用CdSe/ZnS红光、CdSe/ZnS绿光量子点作为发光层,制备了结构为ITO/TPD:PVK/QDs+PEDOT/ZnO/LiF/Al的量子点发光器件,其PEDOT:PSS作为两层量子点之间的隔离层,ZnO作为电子传输层。进而对器件的电致发光性能做了测试。主要工作如下:首先,研究了ITO表面处理方法不同时对器件性能的影响。实验发现经体积比为5:1:1的去离子水、氨水、双氧水的混合溶液浸泡后,可提高ITO的表面功函数,降低器件的开启电压。实验中经处理后的器件开启电压减少了22%。其次,利用溶胶凝胶法制备了ZnO胶体并将其作为器件的电子传输层,采用全旋涂的方式制备了多层量子点白光LED,其中发光层采用不同颜色量子点层之间添加隔离层的结构,避免了各层量子点之间的互相干扰。探讨了TPD与PVK的质量比以及量子点浓度等工艺参数对器件性能的影响。研究结果显示当TPD和PVK的质量比为5:1,量子点浓度为1.0mg/ml,旋涂ZnO胶体做电子传输层时制备的器件发光效果最好,在电压15V时发光亮度达到了1500cd/m2,色坐标为(0.3819,0.4025),显色指数93.5。在此基础上,进一步利用湿法刻蚀使器件发光部分图形化,实现了特定字母发光的效果。最后,探讨了碳纳米管替代ITO作为器件阳极的可行性。采用旋涂和真空蒸镀工艺制备了结构为CNT-TCFs/TPD:PVK/QDs/Alq3/LiF/Al的器件,通过调节量子点层的厚度可以出射白光。实验发现,器件的电流密度会随着量子点层的厚度的减小而增大,发光亮度也随之增加。同时,CNT-TCFs的表面经过TPD:PVK修饰后,大大的改善了其表面平整性,从而提高了器件发光性能。当TPD与PVK的质量比为1:1时,器件的发光效果最好。
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