CdSeS量子点玻璃的电学非线性实验研究

来源 :北京师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zkc19890314
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半导体量子点玻璃是一类重要的复合纳米材料,在纳米科技中占有重要地位。半导体在玻璃基体中生长形成具有纳米尺寸的量子点,这是一个三维受限的准零维结构,具有显著的量子尺寸效应、库仑阻塞效应、介电受限效应等许多不同于三维固体体材料的新现象、新效应。将掺有一定比例CdS和CdSe半导体的玻璃基体放在900K恒温炉中,用一步退火法得到了一系列不同尺寸的半导体CdSeS量子点样品,本文中量子点样品的生长时间分别为1、8、16、24小时,分别记为1H、8H、16H、24H。通过HRTEM分析显示CdSeS量子点结晶良好。   压敏电阻是其微分电导敏感依赖于电压的电阻,其电流-电压(伏安特性)不满足通常的欧姆定律而呈非线性变化的一类功能材料。压敏电阻的最重要特点是它的非线性电流-电压特性。   电场与物质之间的相互作用中弛豫过程非常重要,至少在电介质物理学中处理载流子的电输运及某些极化过程是经常用到它,因为弛豫过程有的是通过粒子间的各种复杂的、完全混乱的作用或碰撞实现的,所以在弱电场情况下可用弛豫时间近似方法来处理。实验观测了CdSeS量子点玻璃的驰豫过程,同时对弛豫时间做了测量。   对CdSeS量子点玻璃的铁电性研究,观测了样品的电滞回线,从理论上分析了CdSeS量子点玻璃产生铁电性的原因。   
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