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本文探索了用脉冲激光沉积(PLD)技术生长LiNbO_3薄膜。以光波导和声表面波应用作为前提,硅基高质量c轴取向薄膜为目标,我们分别在Si(111)衬底和采用ZnO作为缓冲层的Si(100)衬底上生长了LiNbO_3薄膜,并对衬底温度、氧压、激光频率以及衬底与靶材之间的距离等生长工艺参数进行了系统的研究,初步研究了退火对薄膜晶体质量的影响。此外,我们还尝试了在其它衬底上(Si(100)、玻璃和蓝宝石)生长LiNbO_3薄膜,并进行了简要讨论和比较。 通过对LiNbO_3薄