随着集成电路（Integrated Circuits,IC）产业的迅猛发展,高频高速电子系统中器件的集成度越来越高,随之而来的电磁干扰（Electromagnetic Interference,EMI）问题也愈发严重。微波暗室等传统EMI测试方法因其测试时间长、测试成本高,已难以满足快速迭代的电子产品的EMI测试需求。近些年发展起来的近场扫描技术具有测试时间短、测试成本低、干扰源定位准确等优点,正逐渐成为学术界和工业界研究的热点。然而,正是由于发展时间较短,近场扫描系统的完备程度还有待进一步提升,近场扫描技术的应用仍存在巨大的提升空间。本文紧密结合实际工程项目,针对近场扫描在EMI诊断方面的应用难点,开展以下研究:第一,小尺寸、切向、有源电场探头设计。目前业界对近场扫描探头的研究大多集中在磁场探头,对切向电场探头的研究并不多。此外,低频时待测件与探头的电磁耦合较弱,导致小尺寸探头的灵敏度下降。本文基于差分运算放大器,设计了工作频率为100k Hz-800MHz的切向电场探头。该探头具有高灵敏度、高共模抑制比、小尺寸等特点。通过仿真和测试验证了该探头的精度和可靠性。第二,基于近场扫描的屏蔽效能测试方法。屏蔽是电子系统中防止器件之间互相干扰的主要手段,屏蔽效能（Shielding Effectiveness,SE）是量化屏蔽结构电磁屏蔽能力的重要指标。暗室、混响室等传统测试方法只能表征待测件的远场SE,无法表征近场SE,也无法精确测试弱辐射体的SE。本文以电子封装这一类弱辐射体为例,发展了基于近场扫描的SE测试方法,研究了影响近场SE的主要因素,提出了在不同基于不同应用场景下的SE定义方法,为近场扫描在SE评估提供了参考。第三,基于相位反演的未知干扰源定位算法。电子设备中大部分干扰源在屏蔽结构内部,无法直接通过近场场分布图分辨干扰源的位置。本算法通过近场扫描获取未知干扰源在屏蔽结构外部泄露场的相位信息,构建相应的反演模型,通过多个反演源辐射场的同相位区域推测未知干扰源的位置及类别。实际测试例子表明,该算法可以从屏蔽盖外部的电磁泄漏场预测屏蔽盖内部未知干扰源的位置。