分别用物理气相沉积法和液相方法在钨丝基底上生长了氧化锌材料。用物理气相沉积法在没有催化剂的条件下在钨丝上得到了氧化锌纳米线。用液相方法在钨丝表面得到了均匀分布的氧化锌微米柱。在氩气流的保护下对钨针尖进行了加热，观察到了表面有层状的剥离。 在场发射显微镜中对钨针尖进行了放电处理，得到了大小为几微米至一百纳米的突起。在屏幕上得到了单个突起的场发射像和场离子像。对场发射像在不同电压下的变化进行了研究。场发射电流与电压关系(Ⅰ-Ⅴ特性)基本符合Fowler-Nordheim(F-N)理论。样品可以得到1mA以上的场发射电流，表明对钨针尖进行放电可以得到较好的冷电子源。 利用四极质谱计测量了超高真空系统中的残气成分并监视了其在B-A规和升华泵放气过程中的变化。用电子轰击清除了能导致真空计虚假读数的B-A规收集极污染。