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近年来,金属卤化物钙钛矿材料被广泛的用于各类光电器件的研究中,比如发光二极管,光电探测器等。钙钛矿材料能够广泛的运用于这些光电器件主要是因其具有良好的光电性能,比如带隙可调,激子扩散长度长,色纯度高,载流子迁移率高,以及较低的陷阱态密度等等。另外,钙钛矿材料是目前世界上分布最广泛的天然矿物质之一,有着丰富的储存量,因此将其用于发光二极管（Light-emitting diodes,LED）的制备会使得成本大大降低。由于以上杰出的光电特性,将钙钛矿材料用于发光二极管的制作,它可以成为新一代发光器件和照明显示技术的理想选择。随之出现的有机-无机卤素杂化钙钛矿材料（CH3NH3Pb X3,MAPb X3,X=Cl,I,Br）因其成本效益高、资源丰富、可通过简单的溶液方法进行处理来制备得到等特点而被运用于钙钛矿发光二极管（Perovskite light-emitting diodes,Pe LEDs）的制备当中。早在2014年,R.H.Friend课题组便首次报道了用有机-无机杂化钙钛矿材料（CH3NH3,MAPb Br3）来制作发光层从而在室温条件下成功制备出了Pe LEDs,该器件最大亮度为364 cd/m~2,外量子效率（External quantum efficiency,EQE）为0.1%,这成为钙钛矿电致发光二极管发展历史上的一个起点。随后,仅仅经过7年的研究,Pe LEDs的研究便取得了令人瞩目的成就,其EQE从2014年的不足1%提高到20%以上。尽管Pe LEDs发展的如此迅速,但目前仍存在着许多问题制约着Pe LEDs的商业化应用,比如所制备的器件效率低、稳定性差、亮度低、导电性差、激子利用率低等等。为了解决以上问题,本论文以溶液法为基础从改善钙钛矿薄膜质量的角度出发,通过设计合理的器件结构利用添加剂辅助的反溶剂法来制备高质量的钙钛矿薄膜,从而提高Pe LEDs的光电性能。下面将从以下几个章节来对本论文的工作内容进行阐述:第一章:首先,我们从钙钛矿材料的基本信息出发,分别介绍它的组成结构、电学性质、钙钛矿晶体薄膜制备工艺以及钙钛矿材料的相关运用。然后介绍Pe LEDs的研究现状、器件结构、工作原理、性能参数以及Pe LEDs的现存问题,最后引出本论文的研究工作与意义。第二章:Pe LEDs器件主要由各个功能层薄膜依次重叠构成,因此在本章中主要介绍各个功能层薄膜的制备方法、相关制备仪器的使用以及器件性能的测试。第三章:在本章节中,我们将四苯基氯化磷（Tetraphenylphosphonium chloride,TPPCl）作为添加剂溶解于甲苯（Toluene,Tol）中利用反溶剂法制备准二维（Quasi-two-dimension,quasi-2D）钙钛矿薄膜。实验结果验证了以TPPCl-Tol为添加剂型反溶剂溶液并利用快速晶体钉扎方法进行薄膜制备,这对准二维钙钛矿晶体薄膜生长过程的动力学控制起着重要作用。结果表明,采用添加剂型反溶剂（TPPCl-Tol）法后,钙钛矿薄膜的形貌得到了显著改善。获得了完全覆盖、晶粒减小、表面无针孔的准二维钙钛矿薄膜。它有利于减少激子的非辐射复合猝灭、陷阱辅助猝灭、激子扩散长度,改善载流子注入和传输。此外,添加剂型反溶剂法促进了大n相钙钛矿的形成,抑制了小n相钙钛矿的结晶,从而促进了能量漏斗从小n相向大n相的转变,提高了钙钛矿薄膜中的激子辐射复合效率。因此,改进后的钙钛矿薄膜形貌大大提高了制备的准二维Pe LEDs的EL性能,其最大亮度为35000 cd/m~2,最大电流效率为48.0 cd/A,以及最大EQE为12.42%。优化后的准二维Pe LEDs的最大亮度、最大电流效率和最大EQE分别约为原始Pe LEDs的5.2倍、6.1倍和6.1倍。结果表明,用添加剂型反溶剂法来制备高质量钙钛矿薄膜是一种简单有效的方法,这可能是开发高性能Pe LEDs的有效途径之一。第四章:基于前期的工作,我们将小分子添加剂四苯基氯化磷（Tetraphenylphosphonium chloride,TPPCl）加入到钙钛矿前驱体溶液中,采用一步旋涂法制备钙钛矿薄膜。结果表明我们以该薄膜为发光层所制备的Pe LEDs,改善了载流子的注入,提高了激子辐射复合效率。最后,得到的最大电流效率为65.8cd/A,最大亮度为25285 cd/m~2,最大EQE为17.05%,这分别是纯钙钛矿Pe LEDs的7.2倍、4.1倍和7.2倍。