【摘 要】
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2001年初,日本科学家Akimitsu等人发现MgB具有高达39K的超导电性,在基础研究和实际应用两个方面引起了对MgB的广泛关注.MgB优良的属性使其应用前景非常看好.制备高质量的MgB
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2001年初,日本科学家Akimitsu等人发现MgB<,2>具有高达39K的超导电性,在基础研究和实际应用两个方面引起了对MgB<,2>的广泛关注.MgB<,2>优良的属性使其应用前景非常看好.制备高质量的MgB<,2>超导薄膜是实现超导电子学应用和相关基础研究的关键.该文首先介绍了MgB<,2>的超导性质和MgB<,2>薄膜研究的现状,然后详细介绍了我们利用双束脉冲激光共沉积法,在Al<,2>0<,3>(0001)基片上原位退火生长MgB<,2>超导薄膜的实验.我们研究了沉积温度、退火温度和退火时间对薄膜表面形貌、晶体结构和超导电性的影响.结果发现,合适的沉积温度、退火温度和时间是得到高质量的超导薄膜的关键.在沉积温度为200℃、在670℃和720℃下退火5分钟时,得到了转变温度为33K、表面平整而且具有c轴取向的MgB<,2>薄膜.作为补充,我们还研究了其它实验因素对薄膜质量的影响.
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