拓扑半金属是一种具有线性能带交叉特征的独特量子材料体系,根据能带交叠的简并度,拓扑半金属材料可以分为拓扑Dirac半金属、拓扑Weyl半金属和拓扑Nodal-Line半金属。Weyl半金属中的Weyl点具有拓扑稳定性和确定的手性特征,通过磁场、压力和掺杂等手段可以有效地调控Weyl点,展现出奇异的量子现象和物性。特别在一些稀土元素基Weyl半金属体系,如Ln Al Ge/Si（Ln=La,Pr,Ce）化合物,体系表现出非磁性、铁磁性或反铁磁性等丰富磁性特征;而且体系Weyl节点的电子结构和Weyl费米子的类型强烈依赖于稀土元素Ln的变化（Ln=La,Ce,Pr等）,表现出新奇的物理现象。本论文通过采用助熔剂法生长出高质量的Ln Al Ge（Ln=La,Pr,Ce）单晶,通过测量单晶的磁电阻效应和反常霍尔效应等来研究体系反常的物性,获得的主要成果如下:（1）采用自助熔剂法生长出高质量的大块La/Ce Al Ge单晶,通过X射线衍射和能量色散X射线光谱法分别确认了单晶的晶体结构和化学组分,系统的磁性质测量表明Ce Al Ge在低温下呈现出强的磁各向异性行为,ab面内体系在5K以下展现丰富的相变特征,5K开始为反铁磁行为,继而在3K附近表现出弱铁磁行为,而c方向则表现出铁磁性。随着外磁场增加,ab面内表现出典型的铁磁性,a轴为易磁化轴。磁阻也表现出较强的各向异性,低温下ab面内随磁场增加,表现出单轴磁阻,而c方向则表现出负磁阻行为。低温下霍尔效应结果显示Ce Al Ge在ab面内具有较小的反常霍尔效应,其反常霍尔系数最大为0.068cm3/C,而c方向为正常的霍尔效应。（2）我们同时生长了大块Pr Al Ge单晶,Pr Al Ge的磁电阻和磁化率测量表明体系存在强的各向异性,c轴为易磁化轴,表现出铁磁性,并在16K以下经历一个铁磁转变,ab面内则为反铁磁序。Pr Al Ge在c方向呈现出明显的反常霍尔效应行为,并拟合出体系的正常和反常霍尔系数。进一步的研究发现其本征反常霍尔效应可能来自于本征贝利曲率的贡献所导致。