相比于体硅技术,SOI技术拥有更多的性能优势而在太空和军事等恶劣环境中得到广泛的应用。由于埋氧层的引入减小了辐照的敏感区域,SOI器件结构通常拥有较好的抗单粒子辐照与抗瞬时辐照的优势。然而,埋氧层的存在使得SOI器件的总电离辐照响应方面变得更为复杂。如今随着半导体工艺技术的不断发展,传统的平面器件已经对未来器件的进一步发展显得力不从心了。SOI FINFET作为今后器件发展的主流方向,其抗辐照研究也变得十分重要。本文首先使用ISE-TCAD软件构建三维多栅器件的结构并对其进行了总剂量辐照的相应仿真。由仿真结果可知,三栅器件的FIN区高度和FIN区宽度的加大都会对器件的总剂量辐照特性产生负面的影响。这是由于两个侧栅和顶层栅对FIN区和硅与二氧化硅界面的电气特性有着十分重要的作用。接着又针对不同三栅器件结构,仿真并研究其总剂量辐照造成的影响。从仿真得到的波形图看来,Ω-gate FINFET器件在总剂量辐照效应的加固方面拥有明显的优越性。通过ISE-TCAD软件中的混合模式,利用NMOS和PMOS晶体管搭建一个反相器并研究其总剂量辐照方面的相关特性。仿真结果发现反相器的开关阈值和输出高电平都退变了。其后用两种加固方式对反相器进行加固,根据仿真结果,加固后的反相器在开关阈值和输出高电平方面均有所改善。接着由反相器搭建一个三级环形振荡器并对其进行总剂量的辐照仿真,并用加固反相器的方法对其进行加固。从仿真的波形可知,两种加固方法都对环形振荡器的输出高电平有改善作用,但这都是以牺牲电路的频率换来的。