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晶体材料是一类重要的功能材料，在当代高技术中有着极其重要的应用。研究晶体生长的理论对于发展新性能的新型晶体及提高传统晶体的质量和改性有着一定的指导作用。基于计算机技术而发展的数学建模和模拟是晶体生长理论研究的一类重要方法。本研究论文参考已有的生长模型，结合晶体生长理论及实验结果，建立了研究薄膜生长初期过程的模型，用蒙特卡罗（Monte Carlo）方法对薄膜的生长进行了二维和三维的模拟，所得